一种双异质结GaN RC-HEMT器件.pdfVIP

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2023-05-16 发布于四川
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本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种双异质结GaNRC‑HEMT器件。本发明的主要特征在于：在HEMT栅极结构和漏极之间的势垒层(4)表面有顶部GaN层(9)，GaN沟道层(3)、势垒层(4)和顶部GaN层(9)形成双异质结，且在所述栅极结构与顶部GaN层(9)之间的势垒层(4)之上集成了肖特基续流二极管结构，用于HEMT器件反向续流。RC‑HEMT反向续流时，集成肖特基二极管借助2DEG形成电流路径，续流压降低；RC‑HEMT正向导通时，集成肖特基势垒二极管(SBD)处于关断状态，利用二维

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114613856 A (43)申请公布日 2022.06.10 (21)申请号 202210377549.7 (22)申请日 2022.04.12 (71)申请人电子科技大学地址 611731