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本发明提供一种半导体工艺设备，包括工艺腔室、上射频源、射频线圈结构和线圈接地装置，其中，工艺腔室包括工艺腔体和介质腔体，介质腔体位于工艺腔体的上方，且介质腔体与工艺腔体密封连接；介质腔体的内径由上而下递增；射频线圈结构包括立体螺旋线圈，立体螺旋线圈环绕在介质腔体周围，且立体螺旋线圈的内径由上而下递增，并且立体螺旋线圈的两端均与上射频源电连接；线圈接地装置位置可调的与立体螺旋线圈电连接，且立体螺旋线圈通过线圈接地装置接地，接地位置位于立体螺旋线圈的两端之间。本发明提供的半导体工艺设备，可以提高等离
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114743856 A
(43)申请公布日 2022.07.12
(21)申请号 202210485439.2
(22)申请日 2022.05.06
(71)申请人 北京北方华创微电子装备有限公司
地址
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