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薄膜晶体管及其制备方法和阵列基板.pdfVIP

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  • 2023-05-17 发布于四川
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薄膜晶体管及其制备方法和阵列基板.pdf

    本申请公开了一种薄膜晶体管及其制备方法和阵列基板，薄膜晶体管包括栅极金属层、覆盖设置在栅极金属层上的绝缘层、设置在绝缘层上，且对应栅极金属层的半导体层、设置在半导体层上的源极金属层；以及设置在半导体层上，与源极金属层同层设置的漏极金属层，漏极金属层与源极金属层之间形成有沟道区；其中，半导体层对应沟道区设置有散热孔，散热孔的横截面积小于所述沟道区的横截面积，散热孔与所述沟道区连通。本申请通过在半导体层对应的沟道区域挖一个横截面积小于所述沟道区的横截面积的散热孔，去除了部分半导体层，同时增大半导体层

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114823566 A (43)申请公布日 2022.07.29 (21)申请号 202210325376.4 H01L 21/336 (2006.01)

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