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- 2023-05-17 发布于四川
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本申请的实施方式提供了一种三维存储器及其制备方法，该三维存储器包括：第一半导体结构，包括第一衬底和位于第一衬底的第一侧的存储单元阵列；第二半导体结构，包括第二衬底和位于第二衬底的第二侧的第一外围电路，第一外围电路包括与第二衬底接触的多个第一晶体管；以及第二外围电路，位于第一衬底的与第一侧相背的第三侧，第二外围电路包括与第一衬底接触的多个第二晶体管；其中，第一半导体结构和第二半导体结构连接，存储单元阵列和第一外围电路位于第一衬底和第二衬底之间。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114823705 A
(43)申请公布日 2022.07.29
(21)申请号 202210357216.8
(22)申请日 2022.04.01
(71)申请人 长江存储科技有限责任公司
地址 4
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