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- 2023-05-17 发布于四川
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本发明公开一种半导体器件的制造方法，涉及半导体技术领域，用于提升Forksheet器件的良率，利于提升Forksheet器件的电学性能。所述半导体器件的方法包括：在半导体基底上形成层叠设置的沟道层和牺牲层。在层叠设置的沟道层和牺牲层上依次形成第一掩膜和第二掩膜。在第一掩膜和第二掩膜的掩膜作用下，对层叠设置的沟道层和牺牲层、以及部分半导体基底进行第一图案化处理，以形成第一凹槽。并在第一凹槽内形成浅槽隔离材料。去除第一掩膜。并在第二掩膜的掩膜作用下，对层叠设置的沟道层和牺牲层进行第二图案化处理，以形
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116130418 A
(43)申请公布日 2023.05.16
(21)申请号 202310004400.9
(22)申请日 2023.01.03
(71)申请人 中国科学院微电子研究所
地址 1
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