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基于位相光栅分光触发带侧墙的多通道砷化镓光电导开关.pdfVIP

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  • 2023-05-17 发布于四川
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基于位相光栅分光触发带侧墙的多通道砷化镓光电导开关.pdf

    本发明公开的基于位相光栅分光触发带侧墙的多通道砷化镓光电导开关，包括有屏蔽盒，屏蔽盒内部设置有多通道导电开关单元，屏蔽盒顶部的开口处设置有位相型触发光栅系统，位相型触发光栅系统位于多通道导电开关单元上方。该多通道砷化镓光电导开关，能够降低开关的暗态电流，抑制表面闪络的发生，提升开关的耐压能力。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115020515 A (43)申请公布日 2022.09.06 (21)申请号 202210652450.3 (22)申请日 2022.06.08 (71)申请人 内江师范学院 地址 641000

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