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- 2023-05-17 发布于四川
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本发明涉及一种碲锌镉单晶圆片制备工艺，包括如下步骤：制备多晶棒、富碲合金；取一个石英管，在其内部放入籽晶，再依次放入上述得到的多晶棒、富碲合金；对石英管中放置富碲合金的区域施加不超过1000℃的高温；继续保温5‑100h后以0.02‑2mm/h的速度朝向籽晶一侧移动热源，直至热源高度低于步骤三的步骤三的最低端为止，同时待多晶棒与熔融的富碲合金熔体脱离后，以0.001‑1mm/min的速度向上提拉多晶棒；步骤五：降温，得到碲锌镉单晶晶棒；步骤六：对得到的碲锌镉单晶晶棒经切片、腐蚀、抛光和清洗处理，
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114808134 A
(43)申请公布日 2022.07.29
(21)申请号 202210310441.6
(22)申请日 2022.03.28
(71)申请人 安徽承禹半导体材料科技有限公司
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