半导体器件及其形成方法.pdfVIP

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2023-05-17 发布于四川
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半导体器件及其形成方法.pdf

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在实施例中，半导体器件包括：衬底上的隔离区域；从隔离区域的相邻部分之间突出的鳍结构，鳍结构包括多个鳍和台面，鳍结构的沟道区域具有位于鳍中的第一部分以及位于台面中的第二部分，鳍以及台面是连续半导体材料，台面具有比鳍更大的宽度；以及鳍结构上的第一栅极结构，第一栅极结构沿着鳍中的沟道区域的第一部分延伸并沿着台面中的沟道区域的第二部分延伸。本申请的实施例还涉及形成半导体器件的方法。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114823534 A (43)申请公布日 2022.07.29 (21)申请号 202210060282.9 (22)申请日 2022.01.19 (30)优先权数据 63/140,280 2021