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提高空穴量的紫外发光二极管外延片制备方法及外延片.pdfVIP

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  • 2023-05-17 发布于四川
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提高空穴量的紫外发光二极管外延片制备方法及外延片.pdf

    本公开提供了一种提高空穴量的紫外发光二极管外延片制备方法及外延片，属于半导体器件技术领域。在有源层上周期性生长AlGaN复合层以得到P型AlGaN层，AlGaN复合层包括依次层叠的AlGaN三维子层、AlGaN覆盖子层与AlGaN处理子层。降低内部应力与缺陷。富含氮元素的AlGaN三维子层更容易掺入更多的Mg元素，提高空穴量。低氮环境Al原子与Ga原子的分布更为均匀，保证最终得到的AlGaN复合层的晶体质量。最终仅向反应腔仅通入氨气以生长AlGaN处理子层。保证最终得到的P型AlGaN层能够提供

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114823993 A (43)申请公布日 2022.07.29 (21)申请号 202210220202.1 C30B 25/16 (2006.01)

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