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- 2023-05-17 发布于四川
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一种存储器件，包括被分隔区域分隔开的第一单元阵列区域和第二单元阵列区域，该第一单元阵列区域和该第二单元阵列区域中的每一者包括至少一个存储块，该存储块具有在第一方向上堆叠的多个栅电极层。该栅电极层包括上选择电极层和第一电极层，该上选择电极层包括多条串选择线，该第一电极层包括布置在该多条串选择线下方的多条第一字线。该第一字线包括第一连接线和多条第二连接线，该第一连接线将该第一字线的远离该分隔区域的第一端部彼此连接，该第二连接线将该多条第一字线的与该分隔区域相邻的一些第二端部彼此连接，其中，每一条第二
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116017973 A
(43)申请公布日 2023.04.25
(21)申请号 202211267863.6 H10B 43/00 (2023.01)
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