1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

沟槽栅型超结IGBT器件结构及制作方法.pdfVIP

  • 5
  • 0
  • 约1.18万字
  • 约 11页
  • 2023-05-17 发布于四川
  • 举报

沟槽栅型超结IGBT器件结构及制作方法.pdf

    本发明公开的沟槽栅型超结IGBT器件结构及制作方法中，其制备方法包括步骤：在所述N‑基区内挖设若干深槽；在所述深槽内填充P型硅后，回刻P型硅形成第一深槽区，使所述第一深槽区与相邻的所述N‑基区形成横向PN结；在所述第一深槽区内P型硅上淀积绝缘材料形成栅极绝缘区；通过热氧化方式在所述栅极绝缘区上方的所述深槽侧壁形成栅极氧化层；在所述栅极氧化层内部填充多晶硅材料，刻蚀形成多晶硅栅区，将所述多晶硅栅区作为第二深槽区。本发明可以减少IGBT器件制备过程中多道挖沟槽工艺造成的器件损伤，提高IGBT器件的良

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114823885 A (43)申请公布日 2022.07.29 (21)申请号 202210277956.0 H01L 21/331 (2006.01) (22)申请日 2022.03

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >