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- 2023-05-17 发布于四川
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本申请提供了一种三维存储器及其制备方法、存储系统、电子设备。三维存储器的制备方法包括：交替叠置栅极层和牺牲层以形成叠层结构；形成贯穿所述叠层结构的沟道结构，所述沟道结构包括在沟道孔的内壁上依次形成的阻挡层、电荷捕获层和隧穿层；依次去除所述牺牲层、所述阻挡层的与所述牺牲层对应的部分，以形成牺牲间隙；经所述牺牲间隙将所述电荷捕获层中对应于相邻的所述栅极层之间的部分隔断；在所述牺牲间隙内形成栅极介质层；其中，所述栅极层靠近所述栅极介质层的表面形成有辅助导电层。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114823698 A
(43)申请公布日 2022.07.29
(21)申请号 202210335624.3
(22)申请日 2022.03.31
(71)申请人 长江存储科技有限责任公司
地址 4
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