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改变闸级截断设计的反相器版图.pdfVIP

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  • 2023-05-17 发布于四川
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改变闸级截断设计的反相器版图.pdf

    本发明提供一种改变闸级截断设计的反相器版图，包括平行的pMOS图形和nMOS图形；分别均位于pMOS图形和nMOS图形两侧的第一、二伪栅图形；位于pMOS图形和nMOS图形上，且位于第一、二伪栅图形间的主栅极图形；分别一端位于pMOS图形和nMOS图形上，且位于第一伪栅图形与主栅极图形间的第一、二焊垫图形；两端分别位于pMOS图形和nMOS图形上，且位于主栅极图形和nMOS图形间的第三焊垫图形；分别位于第一、二伪栅图形和主栅极图形上的剪切图形。本发明由于在FinFET器件上的层间介质层应力对器件

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114818571 A (43)申请公布日 2022.07.29 (21)申请号 202210235439.7 (22)申请日 2022.03.11 (71)申请人 上海华力集成电路制造有限公司 地址

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