具有光学限制控制的低成本长波长VCSEL的设计和制造.pdfVIP

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2023-05-17 发布于四川
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具有光学限制控制的低成本长波长VCSEL的设计和制造.pdf

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描述了用于1200nm至1600nm的波长范围内的长波长应用的若干VCSEL器件。这些器件包括有源区，该有源区位于GaAs晶片上的半导体DBR与在有源区上再生长的电介质DBR之间。所述有源区包括限制在有源n‑InP和p‑InAlAs层之间的多量子层（MQL）以及MQL上方的隧道结层。半导体DBR被通过晶片键合工艺融合到有源区的底部。设计通过仅使一个晶片键合然后使包括电介质DBR的其他层再生长而简化了集成反射器和有源区堆叠。在有源区的n‑InP层或半导体DBR的顶部上的气隙间隔层中制造气隙。气

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114825040 A (43)申请公布日 2022.07.29 (21)申请号 202111591179.9 (51)Int.Cl.