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三维存储器及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-05-17 发布于四川
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三维存储器及其制备方法.pdf

    本申请提供了一种三维存储器及其制备方法，所述方法包括：在衬底上形成包括交替堆叠的绝缘层和牺牲层的叠层结构，并形成贯穿叠层结构的沟道孔；通过沟道孔对部分牺牲层进行刻蚀，以形成第一凹槽；在沟道孔和第一凹槽的内壁形成第一填充层，并在第一凹槽内的第一填充层上形成第二填充层；以及对未被第二填充层覆盖的部分第一填充层进行氧化处理以形成多个氧化部。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114823701 A (43)申请公布日 2022.07.29 (21)申请号 202210368213.4 (22)申请日 2022.03.30 (71)申请人 长江存储科技有限责任公司 地址 4

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