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- 2023-05-17 发布于四川
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本发明涉及半导体光电器件的技术领域，特别是涉及一种半导体发光元件，从下至上依次包括衬底、第一导电型半导体、多量子阱、第二导电型半导体和透明导电层，第二导电型半导体和透明导电层组成接触层结构，透明导电层的C、O浓度沿(001)方向从高C、O浓度3E18cm‑3迅速下降至低C、O浓度
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114824019 A
(43)申请公布日 2022.07.29
(21)申请号 202210367175.0
(22)申请日 2022.04.08
(71)申请人 安徽格恩半导体有限公司
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