原创力文档- 11
- 0
- 约2.3万字
- 约 16页
- 2023-05-17 发布于四川
- 举报
本发明提供一种3DNAND存储器擦除时的电压控制方法，在真存储单元的字线的偏置电压处于擦除控制电压时，将阱掺杂区的偏置电压上升至擦除工作电压并保持所述擦除工作电压，在阱掺杂区的偏置电压上升至第一中间电压期间，将伪存储单元的字线的偏置电压保持在第一预设电压，而后，将伪存储单元的字线设置为浮置状态，其中，第一预设电压小于第一中间电压，这样，减小伪存储单元所在的字线的电压与相邻的真存储单元所在的字线的电压差，避免在真存储器单元所在的字线和伪存储器所在的字线之间产生隧穿，从而避免伪存储器单元阈值电压漂
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114822652 A
(43)申请公布日 2022.07.29
(21)申请号 202210267733.6 G11C 16/30 (2006.01)
文档评论（0）