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一种基于二维层状铜基硫族化合物的忆阻器及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-05-17 发布于四川
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一种基于二维层状铜基硫族化合物的忆阻器及其制备方法.pdf

    本发明公开了一种基于二维层状铜基硫族化合物的忆阻器的制备方法，包括如下步骤：步骤1，采用溅射或蒸镀工艺在衬底上沉积导电薄膜作为底电极；步骤2，制备二维层状铜基硫族化合物材料，通过转移法转移至底电极上，作为忆阻功能层；步骤3，采用溅射或蒸镀工艺在忆阻功能层上沉积一层Cu导电层；步骤4，在Cu导电层上蒸镀一层金属层作为顶电极，最终得到基于二维层状铜基硫族化合物的忆阻器。本发明制备的忆阻器利用铜基硫族化合物中本身具有的Cu空位作为Cu离子迁移通道，迁移势垒低，不需表面额外做异质层，器件即具有低的开关电

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114824068 A (43)申请公布日 2022.07.29 (21)申请号 202210311731.2 (22)申请日 2022.03.28 (71)申请人 国科大杭州高等研究院 地址 310

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