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- 2023-05-17 发布于四川
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本发明提供了一种应用于半导体领域中有机硅类材料提纯制备技术，通过选择正确分离提纯措施，尤其是离子交换树脂、离子交换膜等材料，对有机硅材料如有机硅小分子单体、中等分子量的有机硅预聚物、高分子量有机硅等等，以除去这些材料物质中有害的金属元素离子和有些非金属元素离子如Al、Fe、B、P、Pt、Ca、Mg、Li、Na、Ni、V、Ti、Ce、Cr、S和As等杂质总含量最低可低于10ppm超高纯要求；这些有机硅材料主要应用于晶体外延CVD镀层源材料、线路板保护涂层、电子密封胶、阻焊剂及电子半导体相关领域制程
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114805814 A
(43)申请公布日 2022.07.29
(21)申请号 202210315835.0
(22)申请日 2022.03.25
(71)申请人 北京纳斯特克纳米科技有限责任公
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