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- 2023-05-17 发布于四川
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本发明公开了一种LED芯片钝化层致密性的检测方法，涉及半导体光电器件以及半导体照明制造领域。该检测方法包括：先在衬底上依次沉积待腐蚀层和钝化层，然后采用腐蚀液腐蚀待腐蚀层，最后根据腐蚀情况判断钝化层的致密性。其中，待腐蚀层采用金属层和/或透明导电层。本发明的检测方法对待腐蚀层进行腐蚀，而不腐蚀钝化层；这种检测方法准确、有效地反映原始沉积的钝化层的各位置的致密性情况；且本发明的检测方法操作简单，效率高。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114813769 A
(43)申请公布日 2022.07.29
(21)申请号 202210238152.X
(22)申请日 2022.03.10
(71)申请人 佛山市国星半导体技
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