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一种纳米晶TaWMoCrZr难熔高熵合金涂层及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-05-17 发布于四川
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一种纳米晶TaWMoCrZr难熔高熵合金涂层及其制备方法.pdf

    本发明公开了一种TaWMoCrZr难熔高熵合金涂层及其制备方法，Zr的原子百分比小于15.8at.％，其余为近等原子比的TaWMoCr。在抛光的钢基体和单晶硅基体上采用磁控溅射共溅射的方法制备TaWMoCrZr难熔高熵合金涂层，其中TaWMoCr合金靶采用2个直流电源，Zr靶采用1个射频电源。高真空磁控溅射共溅射制备得到的TaWMoCrZr难熔高熵合金涂层为单相BCC固溶体，具有纳米柱状晶结构，表面形貌为针片状，成分均匀，组织致密，厚度为2.1～2.7μm。Zr的适量加入可以有效提高TaWMoC

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114807880 A (43)申请公布日 2022.07.29 (21)申请号 202210327869.1 (22)申请日 2022.03.30 (71)申请人 西安交通大学 地址 710049

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