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- 2023-05-17 发布于四川
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本申请涉及电子器件技术领域，具体涉及一种半导体器件及其制备方法，其中，该半导体器件包括：衬底；位于衬底之上P型半导体层；位于P型半导体层之上，且和P型半导体层接触的缓冲层；位于缓冲层之上的沟道层；位于沟道层之上的势垒层；以及源极、栅极和漏极；其中，P型半导体层和源极连接。该半导体器件可以有效抑制电流坍塌，保持性能稳定。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114823847 A
(43)申请公布日 2022.07.29
(21)申请号 202210270769.X
(22)申请日 2022.03.18
(71)申请人 华为数字能源技术有限公司
地址 5
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