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本发明公开了一种半超结快恢复二极管器件的制备工艺及结构,其技术方案要点是:包括以下步骤:步骤A、缓冲层的制备;步骤B、耐压层的制备;步骤C、超结结构的制备;步骤D、电路链接层和钝化层的制备;步骤E、晶圆背面的制备。本发明所述器件的阳极的超结结构承受一部分耐压,在保持电荷平衡的同时,可以降低导通压降;本发明所述器件的超结结构较高的外延层浓度,可以降低正面的空穴注入效率,减少反向恢复电荷或者减少对寿命控制工程的依赖程度;本发明所述器件可以提高导通时候背面的空穴浓度,减少反向恢复时产生的电流尖峰,优化
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114823332 A
(43)申请公布日 2022.07.29
(21)申请号 202210402421.1
(22)申请日 2022.04.18
(71)申请人 无锡森思功率半导体有限公司
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