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一种GaN基双层钝化凹槽栅增强型MIS-HEMT器件及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-05-17 发布于四川
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一种GaN基双层钝化凹槽栅增强型MIS-HEMT器件及其制备方法.pdf

    本发明公开了一种GaN基双层钝化凹槽栅增强型MIS‑HEMT器件及其制备方法，器件包括自下而上依次设置的衬底、成核层、缓冲层、沟道层和势垒层，其中，势垒层的两侧分别设置有第一隔离区和第二隔离区；第一隔离区和第二隔离区的内侧分别设置有漏电极和源电极，漏电极和源电极的至少一部分均镶嵌在势垒层中，漏电极和源电极的下表面均与沟道层接触；漏电极与源电极之间的势垒层上开设有栅极区凹槽，栅极区凹槽的内表面及势垒层的上表面涂覆有双层钝化层；位于栅极区凹槽内的双层钝化层上设置有栅电极。本发明通过双层钝化层在垂直沟

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114823891 A (43)申请公布日 2022.07.29 (21)申请号 202210232493.6 (22)申请日 2022.03.09 (71)申请人 西安电子科技大学广

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