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一种TiB2-SiCN陶瓷高温薄膜应变计及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-05-17 发布于四川
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一种TiB2-SiCN陶瓷高温薄膜应变计及其制备方法.pdf

    本发明提供一种TiB2‑SiCN陶瓷高温应变计及其制备方法，所述应变计包括高温合金基底、绝缘层、TiB2‑SiCN应变敏感层和金属引线。以高温合金为基底，在基底上形成绝缘层；直写金属引线；使用TiB2粉末掺杂的PSN2溶液直写敏感栅，在空气中经过热解之后形成TiB2‑SiCN敏感层，并在敏感层表面原位生长氧化保护层。本发明可直接制备在构件表面而不改变构件结构和环境流场，可实现构件表面应力/应变的原位测量；其自生长的氧化保护层可提高传感器在高温、高压、冲刷等恶劣环境中的性能、可靠性和寿命。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114812374 A (43)申请公布日 2022.07.29 (21)申请号 202210334927.3 (22)申请日 2022.03.31 (71)申请人 厦门大学 地址 3610

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