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- 2023-05-17 发布于四川
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本发明提供的一种n型氧化镓‑p型金刚石的MPS二极管及其制备方法,采用更容易制备的p型金刚石代替难以实现的p型氧化镓形成异质PN结,阳极与外延层材料接触位置采用阵列式二阶倾斜凹槽结构,相比于常规的凹槽结构减小了材料接触处的曲率,从而极大的抑制了接触位置的电场集中效应。另一方面增大了阳极金属与p型材料的接触面积,改善欧姆接触特性,降低欧姆接触电阻,从而降低二极管的导通电阻;且p型金刚石具有更高的热导率、更宽的禁带宽度,能够提升二极管散热以及耐压性能。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114823919 A
(43)申请公布日 2022.07.29
(21)申请号 202210192790.2
(22)申请日 2022.02.28
(71)申请人 西安电子科技大学
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