一种高浪涌低电容NPN TVS器件结构.pdfVIP

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2023-05-17 发布于四川
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一种高浪涌低电容NPN TVS器件结构.pdf

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本发明公开一种高浪涌低电容NPNTVS器件结构，属于ESD防护领域，通过调整不同区域的版图，实现高浪涌和低电容参数的兼容。所述高浪涌低电容NPNTVS器件结构包括P型衬底、表面的N型注入结构N1、背面的N型注入结构N2；其中，所述表面的N型注入结构N1的尺寸D1用于实现高浪涌能力；所述背面的N型注入结构N2的尺寸D2用于实现低电容能力；所述表面的N型注入结构N1与阳极连接，所述背面的N型注入结构N2与阴极连接，所述P型衬底浮空，不与电极连接。本发明通过调整关键的版图尺寸可以有效调整浪涌和电容两个

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116013921 A (43)申请公布日 2023.04.25 (21)申请号 202211594096.X (22)申请日 2022.12.13 (71)申请人无锡中微晶园电子有限公司地址