1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

KC预插层的碳纳米薄片(KC-PCN)、制备方法、电极及电容去离子.pdfVIP

  • 0
  • 0
  • 约9.82千字
  • 约 9页
  • 2023-05-17 发布于四川
  • 举报

KC预插层的碳纳米薄片(KC-PCN)、制备方法、电极及电容去离子.pdf

    本发明属于电容去离子领域，涉及一种KC预插层的碳纳米薄片(KC‑PCN)用于新型动态插层机制，有效地提高盐去除容量(SAC)以及获得超高循环寿命。所述方法包括室温下，在研钵中加入顺丁烯二酸酐(MAH)和氢氧化钾(KOH)研磨5min，移入管式炉在N2气氛下升温至700oC，煅烧30分钟，用1摩尔每升的盐酸溶液和去离子水洗涤产物至pH

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114804307 A (43)申请公布日 2022.07.29 (21)申请号 202210218843.3 (22)申请日 2022.03.08 (71)申请人 曲阜师范大学 地址 27316

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >