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- 2023-05-17 发布于四川
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本申请实施例公开了一种形成图像传感器装置的方法。该图像传感器装置包括多个像素，且相邻像素通过深沟槽隔离结构隔离。示例性形成深沟槽隔离结构的方法包括：执行第一蚀刻工艺以去除部分衬底，而在衬底中形成第一沟槽；执行第一掺杂工艺以沿着第一沟槽的侧壁面形成第一侧壁掺杂区；在执行第一等离子体掺杂工艺之后，执行第二蚀刻工艺以延伸第一沟槽，而在衬底中形成第二沟槽；以及，在执行第二蚀刻工艺之后，执行第二掺杂工艺以沿着第二沟槽的侧壁面形成第二侧壁掺杂区，部分第二侧壁掺杂区与第一侧壁掺杂区重叠。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116013940 A
(43)申请公布日 2023.04.25
(21)申请号 202211101449.8
(22)申请日 2022.09.09
(30)优先权数据
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