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半导体器件及形成方法.pdfVIP

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  • 2023-05-17 发布于四川
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半导体器件及形成方法.pdf

    本申请实施例提供一种半导体器件及形成方法，其中，半导体器件包括：沿第一方向延伸的位线驱动和沿第二方向延伸的字线驱动；第一方向与第二方向互相垂直；多条位线，位于字线驱动两侧，且与字线驱动平行；其中，多条位线在第一方向上间隔排布，且在第一方向上，靠近字线驱动的位线的尺寸参数小于远离字线驱动的位线的尺寸参数；多条字线，位于位线驱动两侧，且与位线驱动平行；其中，多条字线在第二方向上间隔排布，且在第二方向上，靠近位线驱动的字线的尺寸参数小于远离位线驱动的字线的尺寸参数；多个存储单元叠层，分别位于所述字线与

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114823778 A (43)申请公布日 2022.07.29 (21)申请号 202210317157.1 (22)申请日 2022.03.28 (71)申请人 长江先进存储产业创新中心有限责

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