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- 2023-05-17 发布于四川
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本发明涉及硅片切割方法及电池。该硅片切割方法采用激光对硅片进行切割,且在进行所述切割的同时,对所述硅片的切割位置进行喷雾处理,得到切割后的硅片;所述喷雾处理采用喷雾试剂包括过氧化氢溶液;将所述切割后的硅片置于氢氟酸溶液中进行浸泡;或对所述切割后的硅片的切割面进行等离子刻蚀处理,所述等离子刻蚀处理采用的等离子源选自氟取代的C1~C20烷烃和氟取代的C2~C20烯烃中的至少一种。该方法能消除激光切割面的凹凸、毛刺、锯齿边等切割异常的部分,能够使得切割面光滑平整。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114823317 A
(43)申请公布日 2022.07.29
(21)申请号 202210319380.X
(22)申请日 2022.03.29
(71)申请人 通威太阳能(安徽)
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