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本申请技术方案提供一种SiCMOSFET的短路检测电路及方法,所述短路检测电路包括:输出侧逻辑控制模块,用于接收所述SiCMOSFET的驱动脉冲信号并输出,还用于输出与所述驱动脉冲信号同步的控制信号;输出级功率放大电路,与所述输出侧逻辑控制模块电连接,并被配置为对所述驱动脉冲信号进行放大,并输出至所述SiCMOSFET;短路检测模块,与所述输出侧逻辑控制模块以及所述SiCMOSFET的漏极电连接,并被配置为接收所述控制信号并获得参考电压信号,同时获取所述SiCMOSFET的漏源电压信号
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114814515 A
(43)申请公布日 2022.07.29
(21)申请号 202210499632.1
(22)申请日 2022.05.09
(71)申请人 飞锃半导体(上海)有限公司
地址
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