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一种碳化硅晶片的表面研磨方法.pdfVIP

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  • 2023-05-17 发布于四川
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一种碳化硅晶片的表面研磨方法.pdf

    本发明属于碳化硅新材料技术领域，具体涉及一种碳化硅晶片的表面研磨方法，包括：S1：将碳化硅晶片的正面放置在粘贴于研磨大盘上的无蜡垫上，并采用金刚砂轮研磨头对所述碳化硅晶片的背面进行粗磨；S2：将所述碳化硅晶片的背面放置在粘贴于研磨大盘上的无蜡垫上，并采用金刚砂轮研磨头对碳化硅晶片的正面进行粗磨；S3：对经S1、S2处理的所述碳化硅晶片进行退火处理；S4：对经S3处理的碳化硅晶片进行化抛精磨。基于上述结构与方法，能够大大提升研磨效率节省研磨时间，且改造设备的费用成本较低，设计开发费用较少。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114800252 A (43)申请公布日 2022.07.29 (21)申请号 202210289430.4 B24B 7/22 (2006.01)

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