1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

半导体结构的形成方法.pdfVIP

  • 1
  • 0
  • 约1.37万字
  • 约 14页
  • 2023-05-17 发布于四川
  • 举报

半导体结构的形成方法.pdf

    一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，衬底包括基底以及位于基底上的第一鳍部和第二鳍部；在第一鳍部的表面和第二鳍部的表面形成第一功函数层；在第一功函数层上形成第二功函数层；在衬底上形成图形化层，图形化层内具有暴露出位于第一鳍部上的第二功函数层的刻蚀开口；以图形化层为掩膜，采用第一刻蚀工艺去除位于第一鳍部上的第二功函数层，且在去除位于第一鳍部上的第二功函数层的过程中，在位于第一鳍部上的第一功函数层表面形成保护层。通过在第一功函数层的表面形成保护层，能够有效降低在去除第二功函数层的过程中对第一功函

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116013857 A (43)申请公布日 2023.04.25 (21)申请号 202111233334.X (22)申请日 2021.10.22 (71)申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >