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本发明公开了一种具有漏电极埋层的氮化镓基晶体管及制作方法，主要解决现有技术漏电极泄露电流大，器件击穿电压低的问题，其自下而上包括：衬底(1)、复合缓冲层(2)、沟道层(3)、势垒层(4)和钝化层(5)，该复合缓冲层中设有P型埋层(6)，该势垒层表面设置有源电极(7)、漏电极(8)和栅电极(9)。其中沟道层与势垒层之间形成异质结界面，漏电极依次穿过势垒层和沟道层，进入复合缓冲层中的P型埋层。本发明通过引入与漏电极相连接的P型埋层，有效抑制了关断状态时从漏电极泄露的电子，降低了漏电极泄露电流，且辅助
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114843342 A
(43)申请公布日 2022.08.02
(21)申请号 202210425090.3 H01L 29/20 (2006.01)
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