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本申请公开了一种CIS的制作方法,包括:提供一衬底,衬底上包括第一区域、第二区域和第三区域,第一区域用于形成钳位光电二极管,第二区域用于形成逻辑器件,第三区域用于形成CIS,衬底上形成有第一氧化层,第二区域的第一氧化层上形成有第一栅极,第一栅极是所述逻辑器件的栅极;在除第二区域外的其它区域覆盖光阻;在第一栅极的两侧形成第一侧墙;在第一侧墙的外侧形成第二侧墙;去除光阻。本申请通过在包含钳位光电二极管的CIS的制作过程中,用光阻覆盖除逻辑器件所在的区域以外的其它区域,避免了在形成逻辑器件的栅极的侧墙
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114843296 A
(43)申请公布日 2022.08.02
(21)申请号 202210336423.5
(22)申请日 2022.03.31
(71)申请人 华虹半导体(无锡)有限公司
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