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- 2023-05-18 发布于四川
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本发明提供一种能够抑制台阶差状微小缺陷的产生的硅晶片的抛光方法及硅晶片的制造方法。硅晶片的抛光方法具备：双面抛光工序，对硅晶片的正面及背面进行抛光处理；缺口部抛光工序，在双面抛光工序之后，对硅晶片的缺口部的倒角部实施抛光处理；外周倒角部抛光工序，在缺口部抛光工序之后，对缺口部的倒角部以外的硅晶片的外周倒角部实施抛光处理；及精抛工序，在外周倒角部抛光工序之后，对硅晶片的正面实施精抛处理，所述硅晶片的抛光方法的特征在于，缺口部抛光工序在正面处于水润湿状态下进行。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 110291618 A
(43)申请公布日
2019.09.27
(21)申请号 20178
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