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- 2023-05-18 发布于四川
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本发明公开了一种基于超临界CO2处理的4H‑SiC/SiO2界面低温改善方法及其应用，将待处理的碳化硅样品进行标准清洗；将清洗后的碳化硅样品干氧氧化生长氧化层；将带有氧化层的碳化硅样品放置到超临界设备内支架上，保证样品垂直；向超临界设备的腔室内放入去离子水，然后将设备密封；控制压强向超临界设备内充入二氧化碳；将超临界设备温度从25℃升到150℃；保持以上超临界状态处理，降压处理并保持；反应结束后将反应釜温度降至室温，停止增压泵，降压至大气压后取出。本发明不仅可以有效降低界面态密度还可以显著降低工
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 111446154 A
(43)申请公布日
2020.07.24
(21)申请号 20201
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