金属膜层生长质量的检测方法.pdfVIP

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2023-05-18 发布于北京
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金属膜层生长质量的检测方法.pdf

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本发明提供一种金属膜层生长质量的检测方法，包括：提供一背面形成有金属膜层的晶圆，所述金属膜层的表面粘贴有第一粘性膜；从晶圆正面进行划片以将所述晶圆分割成多个芯片；在所述芯片的正面粘贴粘性大于所述第一粘性膜的第二粘性膜；利用所述第二粘性膜将所述芯片与所述第一粘性膜分离；检查所述第一粘性膜上是否有所述金属膜层的残留。本申请通过在划片后在晶圆正面粘贴粘性更大的第二粘性膜，可以将需要检查的多个芯片从第一粘性膜上一次性全都取下来，同时也避免了剥离超薄的小面积芯片时损坏芯片的情况，保证了芯片的完整性，提高了

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114843200 A (43)申请公布日 2022.08.02 (21)申请号 202210470163.0 (22)申请日 2022.04.28 (71)申请人华虹半导体（无锡）有限公司地址