一种晶体生长方法及生长装置.pdfVIP

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2023-05-18 发布于北京
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一种晶体生长方法及生长装置.pdf

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本发明公开了一种晶体生长方法，包括：当晶体生长进入等径阶段，坩埚以第一坩埚转速旋转，晶体以第一晶体转速旋转；当晶体生长至第一长度，坩埚以第二坩埚转速旋转，和/或晶体以第二晶体转速旋转；其中，所述第二坩埚转速小于所述第一坩埚转速，所述第二晶体转速小于所述第一晶体转速。根据本发明提供的晶体生长方法，通过在等径阶段晶体生长至第一长度之后，将坩埚从第一坩埚转速降低至第二坩埚转速，和/或将晶体从第一晶体转速降低至第二晶体转速，降低了晶体中的氧含量。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114855263 A (43)申请公布日 2022.08.05 (21)申请号 202210357367.3 (22)申请日 2022.04.01 (71)申请人上海新昇半导体科技