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利用可变磁控靶磁场调控薄膜结构和成分的镀膜系统及镀膜方法，属于磁控溅射薄膜沉积技术领域，本发明为解决现有技术针对不同成分和结构的复合薄膜制备工艺存在膜层成分和结构调控过程较为复杂的问题。它包括：将待镀件置于真空腔内，变化的靶头内部磁场使得待镀件获得不同结构和成分的薄膜；改变靶头内部磁场包括两种方式：方式一、靶头永磁铁相对靶材进行移动；方式二、将靶头永磁铁替换为电磁铁，或将靶头永磁铁替换为混合使用永磁铁与电磁铁，改变电磁铁的磁场强度；不同结构和成分的薄膜包括：成分或结构周期性变化的多层膜、梯度变化
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114855136 A
(43)申请公布日 2022.08.05
(21)申请号 202210499768.2
(22)申请日 2022.05.09
(71)申请人 哈尔滨工业大学
地址 150001
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