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- 2023-05-18 发布于四川
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本发明提供一种阻变式存储器的制造方法和阻变式存储器，该方法，包括：在绝缘层上硅SOI晶圆上设置填充多晶硅的深沟槽，得到带有深沟槽的SOI晶圆；其中，深沟槽贯穿SOI晶圆的硅器件层、埋氧层，并抵达支撑层；在带有深沟槽的SOI晶圆上制作互补金属氧化物半导体CMOS电路，得到包含CMOS电路的SOI晶圆；将包含CMOS电路的SOI晶圆的支撑层减薄至埋氧层的表面，并在填充多晶硅的深沟槽的顶端位置形成凹槽；在SOI晶圆的埋氧层上制作忆阻器。从而实现RRAM标准CMOS电路制作工艺与忆阻器制作工艺的分离，使
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 110557969 A
(43)申请公布日
2019.12.10
(21)申请号 20188
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