三维存储器及其形成方法.pdfVIP

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2023-05-18 发布于北京
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三维存储器及其形成方法.pdf

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本公开提供的三维存储器的形成方法包括如下步骤：形成衬底、以及堆叠层，堆叠层包括交替堆叠的第一半导体层和第二半导体层，第二半导体层的厚度为D1，第一半导体层中包括多个沟道区域、以及沿第一方向分布于每一沟道区域的相对两侧的第一区域和第二区域，第一方向为平行于衬底的顶面的方向；形成分别暴露多个沟道区域的多个第一开口，且在沿第二方向上相邻的两个第一开口之间的间隙宽度为D2，D1D2，第二方向为平行于衬底的顶面、且与第一方向相交的方向；沿第一开口沉积导电层，导电层包括包覆沟道区域且沿第二方向填充相邻第一

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114864501 A (43)申请公布日 2022.08.05 (21)申请号 202210502920.8 (22)申请日 2022.05.10 (71)申请人长鑫存储技术有限公司地址 230