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半导体装置以及半导体装置的制造方法.pdfVIP

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  • 2023-05-18 发布于四川
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半导体装置以及半导体装置的制造方法.pdf

    本发明的半导体装置包括：由碳化硅构成的第一导电型的漂移层；形成在漂移层的一个主面上的接合区域；包含第二导电型掺杂物的结终端扩展区域；以及包含比结终端扩展区域更高浓度的第二导电型掺杂物的保护环区域，其特征在于：在结终端扩展区域中，第二导电型掺杂物的从一个主面向深度方向的浓度在从一个主面到达第一深度为止是上升的，一个主面处的第二导电型掺杂物的浓度小于等于第一深度处的第二导电型掺杂物的浓度的十分之一，且高于漂移层处的第一导电型掺杂物的浓度。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 111727506 A (43)申请公布日 2020.09.29 (21)申请号 201880083604.3 (51)Int.Cl.

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