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一种LED外延结构及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-05-18 发布于四川
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一种LED外延结构及其制备方法.pdf

    本申请公开了一种LED外延结构及其制备方法，该结构中超晶格电流扩展层包括周期性排布的超晶格单元，超晶格单元包括依次排布的(Alx1Ga1‑x1)0.5In0.5P势阱层、(Aly1Ga1‑y1)0.5In0.5P第一势垒层和(Aly2Ga1‑y2)0.5In0.5P第二势垒层，0＜x1＜y1＜y2≤1。电子跃迁时，由于两个势垒层的阻挡而增强横向扩展电流，且电子在较厚的第一势垒层处积聚后隧穿过较薄的第二势垒层，提供较大的纵向扩展电流，即通过引入双势垒层并调节其组分和厚度，保证电流横向扩展的同时提升

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116130571 A (43)申请公布日 2023.05.16 (21)申请号 202310343639.9 (22)申请日 2023.03.31 (71)申请人 扬州乾照光电有限公司 地址

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