半导体装置与其制作方法.pdfVIP

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2023-05-19 发布于四川
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半导体装置与其制作方法.pdf

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半导体装置与其制作方法包括调整蚀刻选择性以加大外延工艺容许范围。通过调整蚀刻工艺并仔细选择材料，可改善半导体装置的良率与效能。采用稀释气体、采用辅助蚀刻化学剂、控制蚀刻工艺中所用的偏功率等级、以及控制蚀刻工艺中所用的钝化气体量，可控制蚀刻选择性。形成凹陷于进行外延工艺处的半导体装置的区域中的虚置鳍状物中，可进一步加大外延工艺容许范围。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114914199 A (43)申请公布日 2022.08.16 (21)申请号 202210187345.7 (22)申请日 2022.02.28 (30)优先权数据 17/224,528 2021