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本发明公开了一种反应离子蚀刻(RIE)工艺，目的是确保钨柱完整及表面洁净无杂质(如图1)，利于扫描电子显微镜观察，分析失效原因。根据芯片样本表面的欲蚀刻材料选择相应的蚀刻气体，并在蚀刻气体中加入惰性气体；蚀刻过程中主要通过调整样品的倾斜角度、过程清洗及产生高速撞击离子的设备的功率、蚀刻气体和惰性气体的配比来控制欲蚀刻样本的表面欲蚀刻材料和非欲蚀刻材料的蚀刻速度比。通过本发明提供的控制方法能够使反应离子蚀刻保留具有各向异性特点，同时又能获得高刻蚀选择比。本发明还提供了一种控制反应离子蚀刻的蚀刻速度
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114899072 A
(43)申请公布日 2022.08.12
(21)申请号 202210329752.7
(22)申请日 2022.03.28
(71)申请人 上海聚跃检测技术有限公司
地址 2
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