LDMOS器件及其制备方法.pdfVIP

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2023-05-19 发布于北京
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LDMOS器件及其制备方法.pdf

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本发明提供一种LDMOS器件及其制备方法。方法包括步骤：S1：提供半导体衬底，形成第一浅沟槽和第二浅沟槽；S2：形成填充于第一浅沟槽内的隔离结构、栅极结构和P型体区和；S3：形成侧墙；S4：进行离子注入，以形成N型源区和P型源区；S5：形成位于N型源区、P型源区和栅极结构表面的导电材料层以得到预处理结构；S6：形成覆盖预处理结构的层间介质层，于层间介质层中形成若干接触孔，分别与N型源区、P型源区和栅极结构表面的导电材料层电连接。采用本发明，可省去大部分单独形成P型体区沟槽所需的工艺步骤，降低了工

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114883266 A (43)申请公布日 2022.08.09 (21)申请号 202210345479.7 (22)申请日 2022.03.31 (71)申请人上海积塔半导体有限