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本发明公开了一种环栅晶体管及其制造方法，涉及半导体技术领域，用于改善环栅晶体管中寄生沟道的漏电，提高环栅晶体管的导电性能。所述环栅晶体管包括：衬底、形成在衬底上的堆叠结构、形成在衬底与堆叠结构之间的含锗半导体结构、以及环绕在至少一层纳米片外周的栅堆叠。堆叠结构包括源区、漏区和至少一层纳米片。至少一层纳米片位于源区和漏区之间，至少一层纳米片分别与源区和漏区接触。含锗半导体结构的宽度小于至少一层纳米片的宽度。含锗半导体结构中锗的含量高于至少一层纳米片中锗的含量。至少一层纳米片与含锗半导体结构之间具有
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114899236 A
(43)申请公布日 2022.08.12
(21)申请号 202210471119.1
(22)申请日 2022.04.28
(71)申请人 中国科学院微电子研究所
地址 10
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