混合衬底的形成方法.pdfVIP

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2023-05-19 发布于北京
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混合衬底的形成方法.pdf

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本发明公开了一种混合衬底的形成方法，包括：步骤一、提供一SOI衬底，在SOI衬底的半导体顶层表面形成硬质掩膜层。步骤二、定义出半导体衬底的形成区域并进行刻蚀形成沟槽。步骤三、进行快速热氧化工艺在沟槽的底部表面和侧面暴露的半导体材料表面形成第一氧化层。步骤四、以硬质掩膜层为掩膜对第一氧化层进行各向异性干法刻蚀在沟槽侧面自对准形成侧墙，侧墙的侧面和硬质掩膜层的侧面对齐。步骤五、进行外延生长在沟槽中形成和半导体主体层相接触的半导体外延层，半导体外延层的顶部表面和半导体顶层的顶部表面平齐。本发明能避免S

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114899144 A (43)申请公布日 2022.08.12 (21)申请号 202210395884.X (22)申请日 2022.04.14 (71)申请人上海华力集成电路制造有限公司地址